DOU 08/01/2024 - Diário Oficial da União - Brasil

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Os processos e equipamentos enumerados a seguir não servem necessariamente apenas para produzir um tipo específico de película: a) Os fornos de oxidação, utilizados para formar uma “película” de óxido no wafer. O óxido é formado pela reação química das camadas moleculares superiores do wafer com o oxigênio aplicado ou o vapor quente. b) Os equipamentos de deposição química em fase de vapor (CVD), utilizados para depositar diferentes tipos de películas obtidas por combinação de gases adequados numa câmara de reação a temperaturas elevadas. A reação em questão é uma reação termoquímica em fase vapor. As operações podem efetuar-se à pressão atmosférica ou a baixa pressão (LPCVD) e podem usar a técnica assistida por plasma (PECVD). c) Os equipamentos de deposição física em fase vapor (PVD), utilizados para depositar diferentes tipos de películas obtidas por vaporização de um sólido. Por exemplo: 1) Os equipamentos de evaporação, utilizados para formar a película por aquecimento do material de origem. 2) Os equipamentos de pulverização catódica, utilizados para formar a película por bombardeamento de íons sobre o material de origem (alvo). d) Os equipamentos de epitaxia para jatos moleculares (MBE), utilizados para promover o crescimento de camadas epitaxiais num substrato monocristalino aquecido em ultravácuo, com recurso à técnica de feixes moleculares. Este processo é semelhante ao processo PVD. 2) Os equipamentos de dopagem, utilizados para difundir dopantes na superfície do wafer com vista a modificar a condutividade ou outras características de uma camada semicondutora, tais como: a) Os equipamentos de difusão térmica, utilizados para difundir dopantes na superfície do wafer por aplicação de gases a altas temperaturas. b) Os aparelhos de implantação iônica, que servem para “introduzir” os dopantes na estrutura cristalina da superfície do wafer na forma de um feixe de íons acelerados. c) Os fornos de recozimento, utilizados para reparar as estruturas cristalinas do wafer danificada pela implantação iônica. 3) Os equipamentos de gravura e decapagem, utilizados para gravar ou limpar as superfícies dos wafers, tais como: a) Os equipamentos de gravura por umidificação, utilizados para aplicar cáusticos químicos por pulverização ou imersão. Os gravadores por pulverização dão resultados mais uniformes que os gravadores por imersão dado que agem num wafer de cada vez. b) Os aparelhos que utilizam o método seco anisotrópico por plasma ou gravura a seco por plasma, nos quais os cáusticos se apresentam como gases que evoluem num campo energético de plasma, e asseguram um perfil de ataque anisotrópico. Os gravadores a seco utilizam diferentes métodos para criar o plasma gasoso que elimina os materiais, em camadas finas, dos wafers de semicondutor. c) As fresadoras que operam por feixes iônicos pelos quais os átomos de gases ionizados são projetados na superfície do wafer. Este processo tem por efeito eliminar fisicamente a camada superior da superfície. d) Os decapadores ou máquinas para remoção de cinzas (calcinadores), que utilizam técnicas semelhantes à gravura; estes aparelhos eliminam a resina fotossensível da superfície do wafer após ter servido como “estêncil”. Este equipamento permite também eliminar os nitretos, os óxidos e o silício policristalino, com um perfil de gravura isotrópica. 4) Os equipamentos de litografia, que transferem os desenhos dos circuitos para a superfície, revestida de uma resina fotossensível, do wafer de semicondutor, tais como: a) Os equipamentos para revestir os wafers de uma resina fotossensível, especialmente os dispositivos rotativos “spinners” de depósitos fotossensíveis que aplicam de maneira uniforme uma emulsão fotossensível líquida na superfície do wafer. b) Os equipamentos para expor o wafer revestido de uma resina fotossensível com o desenho do circuito (ou uma parte deste último): 1º) Que utilizem uma máscara ou um retículo e exponham a resina fotossensível à luz (geralmente ultravioleta) ou, em certos casos, aos raios X, tais como: a) Os impressores por contato direto, nas quais a máscara ou o retículo está em contato com o wafer durante a exposição. b) Os alinhadores de proximidade, semelhantes aos alinhadores por contato direto, com a diferença de que a máscara ou o retículo não está em contato direto com o wafer. c) Os alinhadores por varredura (scanning aligners), que utilizam técnicas de projeção para expor uma fenda em movimento permanente entre a máscara e o wafer. d) Os fotorrepetidores, que utilizam técnicas de projeção para expor uma parte do wafer de cada vez. A exposição pode fazer-se por redução da máscara ao wafer ou numa relação de 1 para 1. Uma das técnicas utilizadas para esse efeito é a de laser “excimer”. 2º) Os aparelhos de escrita direta no wafer, que funcionam sem máscara nem retículo. Utilizam um “feixe de escrita” controlado por uma máquina automática para processamento de dados (feixe de elétrons, feixe de íons ou laser), que servem para “criar” o desenho do circuito diretamente no wafer revestida de uma resina fotossensível. 5) Os equipamentos de “revelação” de wafers expostos, especialmente os banhos químicos semelhantes aos utilizados nos laboratórios fotográficos. A presente posição compreende igualmente: 1º) Os centrifugadores, que depositam resina fotossensível em matérias isolantes ou em wafers. 2º) As máquinas para imprimir “a crivo”, que aplicam tintas resistentes aos produtos cáusticos em substratos isolantes. 3º) As máquinas de riscar a laser, para cortar os wafers em microplaquetas (chips). 4º) As serras para cortar wafers. C.- MÁQUINAS E APARELHOS PARA FABRICAÇÃO DE DISPOSITIVOS DE VISUALIZAÇÃO DE TELA (ECRÃ) PLANA Este grupo abrange as máquinas e aparelhos para fabricação de substratos utilizados em dispositivos de visualização de tela (ecrã) plana. Não abrange, contudo, a fabricação de vidro ou a montagem de placas de circuitos impressos ou de outros componentes eletrônicos na tela (ecrã) plana. A presente abrange as máquinas e aparelhos utilizados para fabricação de dispositivos de visualização de tela (ecrã) plana, tais como: 1) Os aparelhos para gravura, revelação, decapagem ou limpeza. 2) Os aparelhos para projeção, desenho ou “chapeamento” de traçados de circuitos. 3) Os secadores centrífugos e outros aparelhos de secagem. 4) As máquinas (dispositivos rotativos “spinners”) concebidas para aplicar emulsões fotográficas. 5) Os aparelhos de implantação iônica para a dopagem. 6) Os fornos e outros aparelhos para difusão, oxidação, recozimento ou aquecimento rápido. 7) Os aparelhos de deposição química em fase vapor e de deposição física em fase vapor. 8) As máquinas de lixar ou polir. 9) As máquinas de serrar, riscar ou sulcar. D.- MÁQUINAS E APARELHOS ESPECIFICADOS NA NOTA 11 C) DO PRESENTE CAPÍTULO Este grupo compreende as máquinas e aparelhos do tipo utilizado exclusiva ou principalmente para: 1) A fabricação ou a reparação das máscaras e retículos (por exemplo, aparelhos para a produção fotográfica de máscaras que sirvam para a fotoimpressão (fototraçadores) e as fresas que operem por feixes iônicos, destinadas à reparação de máscaras e retículos). 2) A montagem de dispositivos de semicondutor ou de circuitos integrados eletrônicos, tais como: a) As máquinas de gravar por feixe laser, para inscrever nos invólucros de plástico dos circuitos integrados monolíticos ou dos componentes discretos de semicondutor acabados.