DOU 27/02/2026 - Diário Oficial da União - Brasil _do1_extra_A

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Surface Mounted Device). .01/03/2026 .28/06/2026 . .8541.10.21 .002 .Dispositivos semicondutores - Diodos Zener, montados, próprios para montagem em superfície (SMD), com tensão zener (Vz) compreendida entre 1,2 V a 200 V, e corrente direta de 100 nA a 588 mA, temperatura de operação na faixa de -65 a 150 graus Celsius, aplicados em placas de circuito impresso. .01/03/2026 .28/06/2026 . .8541.10.22 .001 .Diodos, de intensidade de corrente inferior ou igual a 3A, montados, próprios para montagem em superfície (SMD - Surface Mounted Device), exceto diodos Zener, fotodiodos e diodos emissores de luz (LED). .01/03/2026 .28/06/2026 . .8541.10.22 .002 .Diodos retificadores, próprios para montagem em superfície (SMD), com corrente direta média máxima compreendida entre 0,01 A e 3 A, tensão de pico inversa repetitiva máxima compreendida entre 1 V e 2.000 V, temperatura de operação na faixa de -65 a 260 graus Celsius, aplicados em placas de circuito impresso. .01/03/2026 .28/06/2026 . .8541.10.29 .001 .Diodos retificadores de silício, tipo semicondutor de junção, para montagem em superfície (SMD - Surface Mounted Device), com intensidade de corrente nominal inferior ou igual a 3A, destinados à retificação, comutação e proteção contra transientes em placas de circuito impresso. .01/03/2026 .28/06/2026 . .8541.10.29 .002 .Diodos, de intensidade de corrente superior a 3A, montados, próprios para montagem em superfície (SMD - Surface Mounted Device), exceto diodos Zener, fotodiodos e diodos emissores de luz (LED). .01/03/2026 .28/06/2026 . .8541.10.29 .003 .Diodos, semicondutores, montados, do tipo "Schottky" de potência, duplos (2 ânodos e cátodo comum), próprios para montagem em superfície (SMD), encapsulados em D2PAK ou TO-263, com tensão reversa máxima igual ou superior a 200V, corrente direta média retificada igual ou superior a 10A, destinados à retificação e comutação de potência em fontes de alimentação, conversores estáticos e equipamentos eletrônicos e de telecomunicações. .01/03/2026 .28/06/2026 . .8541.10.29 .004 .Diodos semicondutores montados, próprios para proteção contra surtos transitórios (TVS), do tipo "array" integrado, para montagem em superfície (SMD), encapsulados em SOT-363 ou SC-88, com tensão reversa máxima de trabalho de até 5V, capazes de proteger até 4 linhas de dados contra sobretensões transitórias, caracterizados por baixa capacitância por canal e capacidade de absorção de correntes de pulso transitórias, com corrente de pulso de pico maior ou igual a 8A, destinados à proteção ESD, EFT e surtos em linhas de dados de alta velocidade, tais como Ethernet, DSL, USB e interfaces digitais equivalentes, em equipamentos eletrônicos e de telecomunicações .01/03/2026 .28/06/2026 . .8541.10.29 .005 .Diodos semicondutores montados, próprios para proteção contra surtos transitórios (TVS), do tipo bidirecional, discretos, para montagem em superfície (SMD), encapsulados em SOD-323, com tensão de trabalho nominal de 15V, capacidade de dissipação de potência de pulso (Peak Pulse Power) igual ou superior a 400W, capacitância típica maior ou igual a 40pF, destinados à proteção contra sobretensões e transientes em linhas de sinal, controle e alimentação de equipamentos eletrônicos e de telecomunicações. .01/03/2026 .28/06/2026 . .8541.10.29 .006 .Dispositivos semicondutores - Diodos retificadores, próprios para montagem em superfície (SMD), com corrente direta média máxima compreendida entre 3,1 e 710 A, tensão de pico inversa repetitiva máxima compreendida entre 3,3 e 700V, temperatura de operação na faixa de -65 a 260 graus Celsius, aplicados em placas de circuito impresso. .01/03/2026 .28/06/2026 . .8541.10.31 .001 .Diodos ZENER Montados, próprios para montagem por inserção (PTH - Pin Through Hole). .01/03/2026 .28/06/2026 . .8541.10.31 .002 .Dispositivos semicondutores - Diodos Zener, montados, próprios para montagem por inserção (PTH), com tensão zener (Vz) compreendida entre 4,7 V a 51 V, e corrente direta (Iz) de 5 mA a 200 mA, temperatura de operação na faixa de -65 a 150 graus Celsius, aplicados em placas de circuito impresso. .01/03/2026 .28/06/2026 . .8541.10.32 .001 .Dispositivos semicondutores, do tipo diodos retificadores de silício, montados, próprios para montagem por inserção (PTH - Pin Trough Hole), com intensidade de corrente nominal inferior ou igual a 3A, destinados à retificação, comutação e proteção contra transientes em placas de circuito impresso. .01/03/2026 .28/06/2026 . .8541.10.32 .002 .Diodos Montados, próprios para montagem por inserção (PTH - Pin Through Hole) com intensidade de corrente inferior ou igual a 3A. .01/03/2026 .28/06/2026 . .8541.21.20 .001 .Transistores, com capacidade de dissipação inferior a 1W, montados, próprios para montagem em superfície (SMD), podendo ser do tipo NPN ou PNP, simples (1 transistor) ou com múltiplos transistores no mesmo encapsulamento, e/ou até mesmo ter outros componentes encapsulados juntos, tais como diodos, resistores etc. .01/03/2026 .28/06/2026 . .8541.21.20 .002 .Transistores com capacidade de dissipação inferior a 1W, montados, próprios para montagem em superfície (SMD - Surface Mounted Device), exceto os fototransistores. .01/03/2026 .28/06/2026 . .8541.21.20 .003 .Transistores, montados, com capacidade de dissipação inferior a 1 W, próprios para montagem em superfície (SMD), com corrente variando de 0,02 a 24A, tensão variando de 6 a 600V, operando em temperatura na faixa de -55 a 175 graus Celsius, aplicados em placas de circuito impresso. .01/03/2026 .28/06/2026 . .8541.21.20 .004 .Transistores semicondutores montados, em encapsulamento SMD, com potência de dissipação igual ou inferior a 1W, destinados a aplicações de amplificação, chaveamento e controle eletrônico em placas de circuito impresso de equipamentos eletrônicos e sistemas de telecomunicações. .01/03/2026 .28/06/2026 . .8541.29.20 .001 .Módulos semicondutores de potência, baseados em tecnologia de Transistor Bipolar de Porta Isolada (IGBT), montados em encapsulamento plástico ou cerâmico, próprios para comutação e controle de energia elétrica, com tensão máxima de coletor-emissor (Vces) compreendida entre 25 e 7.000V, corrente contínua de coletor (Ic) compreendida entre 1,5 e 2.400A, temperatura de operação na faixa de -55 a +175 graus Celsius, com terminais de conexão projetados para montagem em placa de circuito impresso (PCI) ou fixação em dissipadores. .01/03/2026 .28/06/2026 . .8541.29.20 .002 .Transistores, de canal N ou P, controlados por tensão dreno-fonte (Vdss) compreendida entre 6 e 3.600V, corrente de dreno de 0,1 a 300A, potência de dissipação de 0,2 a 1.000W, temperatura de -55 até 175 graus Celsius, próprios para montagem em superfície ou orifício passante em placas de circuito impresso, utilizados para controlar, chavear ou amplificar sinais eletrônicos em aplicações de alta potência. .01/03/2026 .28/06/2026 . .8541.29.20 .003 .Transistores com capacidade de dissipação igual ou superior a 1W, montados, próprios para montagem em superfície (SMD - Surface Mounted Device) ou por inserção (PTH - Pin Through Hole), exceto os fototransistores. .01/03/2026 .28/06/2026 . .8541.29.20 .004 .Dispositivos semicondutores - transistores, montados, com capacidade de dissipação igual ou superior a 1W, próprios para montagem em superfície (SMD) ou por inserção (PHT), com corrente variando de 0,01A a 301A, tensão variando de 6 V a 3.600V, operando em temperatura na faixa de -55°C a 175°C, aplicados em placas de circuito impresso. .01/03/2026 .28/06/2026 . .8541.29.20 .005 .Transistores semicondutores montados, em encapsulamento SMD, destinados a aplicações de amplificação, chaveamento e controle eletrônico, utilizados em placas de circuito impresso de equipamentos eletrônicos e sistemas de telecomunicações. .01/03/2026 .28/06/2026 . .8541.41.21 .001 .Diodos emissores de luz (LED), montados, próprios para montagem em superfície (SMD), com corrente direta média máxima variando de 2 a 150mA, tensão reversa máxima variando de 1,2 a 24V, operando em temperatura na faixa de -40 a 125 graus Celsius, aplicados em placas de circuito impresso. .01/03/2026 .28/06/2026 . .8541.41.21 .002 .Diodos emissores de luz (LED), montados, próprios para montagem em superfície (SMD - Surface Mounted Device), exceto diodos laser. .01/03/2026 .28/06/2026 . .8541.42.20 .001 .Células fotovoltaicas solares não montadas em módulos nem em painéis, para utilização em controles remotos de televisores. .01/03/2026 .28/06/2026 . .8542.32.21 .001 .Circuitos integrados eletrônicos, tipo memória semicondutora não volátil (o EEPROM), regravável, que retém dados mesmo sem energia elétrica, com capacidade de armazenamento de 128kBytes, com tempo de acesso inferior ou igual a 25ns, montados, próprios para montagem em superfície (SMD). .01/03/2026 .28/06/2026 . .8542.32.21 .002 .Circuitos integrados eletrônicos, memórias, montadas, próprias para montagem em superfície (SMD - Surface Mounted Device), dos tipos EEPROM. .01/03/2026 .28/06/2026 . .8542.32.21 .003 .Circuitos integrados eletrônicos, memórias, montadas, próprias para montagem em superfície (SMD - surface mounted device), dos tipos RAM estáticas (SRAM) com tempo de acesso inferior ou igual a 25 ns, flash, NAND. .01/03/2026 .28/06/2026 . .8542.32.21 .004 .Circuitos integrados eletrônicos, memórias montadas ou próprias para montagem em superfície (SMD - Surface Mounted Device), dos tipos EEPROM, com capacidade de armazenamento entre 1Kbit a 16Mbits, tensão de operação entre 0.5V a 6.5V, e temperatura de operação entre -65 a 150 graus celsius. .01/03/2026 .28/06/2026 . .8542.32.21 .005 .Circuitos integrados eletrônicos, memórias montadas ou próprias para montagem em superfície (SMD - Surface Mounted Device), dos tipos FLASH com capacidade de armazenamento de 1MG e tempo de acesso não superior a 1ms. .01/03/2026 .28/06/2026 . .8542.32.21 .006 .Memorias montadas, próprios para montagem em superfície (SMD - Surface Mounted Device) dos tipos RAM estáticas (SRAM) com tempo de acesso inferior ou igual a 25 ns, EPROM, EEPROM, PROM, ROM e FLASH; exceto DDR/LPDDR .01/03/2026 .28/06/2026 . .8542.39.31 .001 .Circuitos integrados eletrônicos do tipo chipset, montados, próprios para montagem em superfície (SMD - Surface Mounted Device). .01/03/2026 .28/06/2026 . .8542.39.91 .001 .Placas de circuitos impressos e montados em pequenas dimensões com componentes eletrônicos (ativos e passivos) para uso em cartuchos de impressoras a laser. .01/03/2026 .28/06/2026 ANEXO III . .NCM .Descrição . .8471.30.12 .De peso inferior a 3,5 kg, com tela de área superior a 140 cm2, mas inferior a 560 cm2 . .8471.30.19 .Outras . .8473.30.11 .Com fonte de alimentação, mesmo com módulo display numérico . .8473.30.19 .Outros . .8473.30.41 .Placas-mãe (mother boards) . .8517.13.00 .--Telefones inteligentes (smartphones) . .8517.62.41 .Com capacidade de conexão sem fio . .8517.62.49 .Outros . .8528.52.00 .--Capazes de serem conectados diretamente a uma máquina automática para processamento de dados da posição 84.71 e concebidos para serem utilizados com esta máquina . .8542.31.10 .Não montados . .8542.31.20 .Montados, próprios para montagem em superfície (SMD - Surface Mounted Device) . .8443.32.22 .De caracteres braille . .8471.60.53 .Indicadores ou apontadores (mouse e track-ball, por exemplo) . .8471.60.54 .Mesas digitalizadoras SECRETARIA DE RELAÇÕES INSTITUCIONAIS PORTARIA SRI/PR Nº 125, DE 27 DE FEVEREIRO DE 2026 Institui o Grupo Temporário de Acompanhamento das ações federais nas áreas afetadas em razão das fortes chuvas no Estado de Minas Gerais. A MINISTRA DE ESTADO DA SECRETARIA DE RELAÇÕES INSTITUCIONAIS DA PRESIDÊNCIA DA REPÚBLICA, no uso das atribuições que lhes conferem o art. 87, parágrafo único, incisos I, II e IV, da Constituição, e tendo em vista o disposto no Capítulo VI do Decreto nº 12.002, de 22 de abril de 2024, resolve: Art. 1º Fica instituído, no âmbito da Secretaria de Relações Institucionais da Presidência da República, o Grupo Temporário denominado "Grupo Temporário de Acompanhamento das ações federais nas áreas afetadas em razão das fortes chuvas no Estado de Minas Gerais", com a finalidade de acompanhar as ações nas áreas afetadas pelas chuvas intensas iniciadas em fevereiro de 2026. Art. 2º Compete ao Grupo Temporário: I - promover a articulação político-institucional entre o Governo Federal, o Governo do Estado de Minas Gerais e os Municípios afetados, facilitando a cooperação mútua; II - promover o alinhamento das ações do Governo Federal no âmbito local; III - atuar na mediação e solução de eventuais divergências institucionais ou impasses burocráticos que possam retardar a implementação das ações emergenciais; e IV - elaborar relatórios periódicos aos Ministros de Estado dos órgãos que compõem este Grupo Temporário. Art. 3º O Grupo Temporário será composto por um representante de cada um dos seguintes órgãos: I - Secretaria de Relações Institucionais da Presidência da República, que o coordenará; II - Casa Civil da Presidência da República; III - Ministério da Integração e Desenvolvimento Regional; IV - Ministério dos Direitos Humanos e Cidadania; V - Secretaria de Comunicação Social da Presidência da República; e